Books

Editors

1 斗内政吉 監修, "テラヘルツ波新産業(New Terahertz Industry)" 普及版/Popular Edition, 株式会社シーエムシー出版, 2017-1

2 Masayoshi Tonouchi, “Sate-of-the-Art of Terahertz Science and Technology”, Frontiers in Optical Methods , Vol.180 , Pages153-166 , 2013-12

3 斗内政吉 監修, "テラヘルツ波新産業", 株式会社シーエムシー出版, 2011

4 斗内政吉 監修, "テラヘルツ技術" (Terahertz Technology),テラヘルツテクノロジー動向調査専門委員会編, オーム社, 2006

5 T. Kobayashi, H. Hayakawa, M. Tonouchi, eds.“Vortex Electronics and SQUIDs (Topics in Applied Physics, 91)”,Springer Verlag, Germany, 2003

Co-authors

1 N. Kida, H. Murakami and M. Tonouchi, "Terahertz optics in strongly correlated electron systems" in Terahertz Optelectronics (Topics in Applied Physics, 97) edited by K. Sakai, Springer Verlag, Germany, pages 271 - 331, 2005

2 M. Tonouchi, G. Oya, Y. Matsuda and K. Kumagai,"New aspect of vortex in HTSC" in Vortex Electronics and SQUIDs (Topics in Applied Physics, 91) edited by T. Kobayashi, H. Hayakawa, M. Tonouchi, Springer Verlag, Germany, pages 103 - 139, 2003

3 S. Ohshima, K. Tanabe, T. Morishita and M. Tonouchi, "Observation of vortices" in Vortex Electronics and SQUIDs (Topics in Applied Physics, 91) edited by T. Kobayashi, H. Hayakawa, M. Tonouchi,Springer Verlag, Germany, pages 53 - 102, 2003

4 N. Kawasaki, T. Yoshimura, M. Tonouchi, M. Tani, K. Sakai, and H. Katahama,“Terahertz Generation Study of Ultrafast Carrier Dynamics in Polycrystalline LT-GaAs” in Polycrystalline Semiconductors VII - Solid State Phenomena, Volume 93, edited by T. Fuyuki, T. Sameshima, H.P. Strunk and J.H. Werner, Trans Tech Publications Inc, Switzerland, pages 367-374, 2003

5 M. Tonouchi,“Optical Vortex Generation in High Tc Superconductor” in Vortex Physics, Studies of High Temperature Superconductors No. 42, edited by. A. V. Narlikar Nova Science Publishers, New York, 2002, pages 109-138

[In Japanese]
1. 北岸恵子, “テラヘルツ技術の進展と非破壊検査技術”, 電気学会技術報告-テラヘルツ波を用いた非破壊検査技術調査専門委員会編 , No.1432 , pp46-4, 52-55 , 2018-7

2. 斗内政吉,“電気電子材料”,伊藤利道編,pages 93-115,177-185, 190-197,2016

3. 斗内政吉,“テラヘルツ技術総覧”、テラヘルツテクノロジーフォーラム編, 有限会社エヌジーティー, pages 113-116, 435-437, 445-449, 507-516, 2 007

4. 斗内政吉,“光物性の基礎と応用”、光物性研究会組織委員会編, 株式会社オプトロニクス社, pages 325-342, 2006

5. 斗内政吉,“材料と評価の最前線”日本材料学会編,培風館,pages 131−142, 2001

Review

1. 斗内 政吉, “テラヘルツ波技術展望(Prosepect for Terahertz Technology)”, オレオサイエンス , Vol.18 , No.9 , pp7-11 , 2018-9

2. 北岸恵子、芹田和則, “最新のテラヘルツ測定技術(Novel Techniques of Treahertz Spectroscopy and Imaging)”, オレオサイエンス , Vol.18 , No.9 , pp13-18 , 2018-9

3. 北岸恵子, “高空間分解能、高感度テラヘルツ分光のバイオ分野への応用の試み”, 生産と技術 , 巻vol. 69 , 号No.2 , pp98-100 , 2017-4

4. 斗内 政吉, “テラヘルツ波新産業創製への展望”, 化学工業社 , 巻68 , 号3 , pp165-169 , 2017-3

5. 芹田和則、斗内政吉, “レーザー走査型テラヘルツ波2次元面放射イメージングシステム”, レーザー学会学会誌レーザー研究 , 巻40 , 号7 , ページ496-501 , 2012-7

Publication of FY2018 (Papers and Invited talks)

Papers of FY2018

1. Yasushi Hotta, Iwao Kawayama, Shozo Miyake, Ikuya Saiki, Shintaro Nishi, Kota Yamahara, Koji Arafune, Haruhiko Yoshida, Shin-ichi Satoh, Naomi Sawamoto, Atsushi Ogura, Akira Ito, Hidetoshi Nakanishi, Masayoshi Tonouchi, Hitoshi Tabata, “Control of dipole properties in high-k and SiO2 stacks on Si substrates with tricolor superstructure”, Applied Physics Letters , Vol.113 , No.1 , Pages12103(2018-7)


Invited Oral of FY2018

1. Masayoshi Tonouchi, “Laser Terahertz Emission Microscope for Real World Application”, The Global Nanophotonics 2018, Mumbai, India, 2018/12/9-2018/12-12, Plenary

2. 川山 巌, “テラヘルツ放射分光・イメージングによる半導体材料・デバイス評価 ”, 電子情報通信学会電子デバイス研究会(ED)テラヘルツ応用システム研究会(THz), 東北大学電気通信研究所, 2018/11/7-2018/11/8

3. Filchito Renee Bagsican, Hironaru Murakami, “Probing oxygen adsorption in two-dimensional materials using laser terahertz emission microscopy”, 日本学術振興協会151委員会平成30年度研究会, 大阪, 2018/11/12

4. Masayoshi Tonouchi, “New Methods of THz Time Domain Spectroscopy for Graphene Science”, International Conference on Nanomaterials & Nanotechnology 2018, Stockholm, Sweden, 2018/10/9-201/10-12, Keynote

5. Iwao Kawayama, “Terahertz emission spectroscopy and imaging for energy saving material/device development”, The 2nd International Conference on Advanced Materials and Processes for Environment, Energy and Health, Montreal, Canada, 2018/10/31-2018/11/2

6. Masayoshi Tonouchi, “High Sensitive THz Microfluid Chip couple with a few of meta atoms”, International Conference on Microwave & THz Technologies, and Wireless Communications, Aghveran, Armenia, 2018/9/19-2018/9/21

7. Iwao Kawayama, “Evaluation of semiconductor materials and devices by laser-induced terahertz emissions”, SPIE Optical Engineering + Applications Conrerence, San Diego, United States, 2018/8/19-2018/8/23, Keynote

8. Masayoshi Tonouchi, “Terahertz microfluidic chip sensitivity-enhanced with a few arrays of meta atoms”, OSA Advanced Photonics Congress, ETH Zurich, Switzerland, 2018/7/2-2018/7/5

9. Masayoshi Tonouchi, “Terahertz Microfluidic Devices coupled with Meta Atoms”, The 6th Advanced Electromagnetics Symposium, Marseille, France, 2018/6/24-2018/7/1

10. Iwao Kawayama, “Terahertz emission spectroscopy of wide band gap semiconductors”, Collaborative Conference on Materials Research 2018, Incheon, South Korea, 2018/6/25-2018/6/29

11. Masayoshi Tonouchi, Horonaru Murakami, Iwao Kawayama, Caihong Zhang, Jingbo Wu,Biaobing Jin, Xiaoqing Jia,Lin Kang, Weiwei Xu Huabing Wang, Jian Chen, and Peiheng Wu, “Intense Terahertz Response of Superconductive Thin Films and Metamaterials”, The 14th International Workshop of High-Temperature Superconductors in High Frequency Field, Takamiya Hotel Rurikura Resort, Zao-Onsen, Yamagata, Japan, 2018/6/5-2018/6/8

12. Masayoshi Tonouchi, “THz microfluidic chips for THz bioscience”, The 11th Asia-Pacific Laser Symposium, Xi’an, China, 2018/5/28-2018/5/31

13. Iwao Kawayama, “Probing interface potential of semiconductor heterostructures with laser terahertz emission spectroscopy”, The 9th International Symposium on Ultrafast Phenomena and Terahertz Waves, Changsha, 4China, 2018/4/24-2018/4/26

14. Kazunori Serita, Eiki Matsuda, Kosuke Okada, Hironaru Murakami, Iwao Kawayama, Masayoshi Tonouchi, “A terahertz microfluidic chip for ultra-trace measurement of solution”, The 9th International Symposium on Ultrafast Phenomena and Terahertz Waves, Changsha, 4China, 2018/4/24-2018/4/26

Patents

Domestic

<Issued>
特許5929293 検査装置および検査方法 2016年06月01日
特許5904530 電磁波発生素子、電磁波発生装置および電磁波発生方法 2016年04月13日
特許5892597 検査装置および検査方法 2016年03月23日
特許5835795 検査方法および検査装置 2015年12月24日
特許5822194 半導体検査方法および半導体検査装置 2015年11月24日
特許5804362 検査装置および検査方法 2015年11月04日
特許5187843 半導体検査装置及び検査方法 2013年04月24日
特許5158920 光−磁束変換型入力インターフェース回路 2013年03月06日
特許4683869 半導体デバイスの故障診断方法と装置 2011年05月18日
特許4631704 半導体デバイスの電界分布測定方法と装置 2011年02月16日
特許4360687 物質検出装置及び物質検出方法 2009年11月11日
特許4001373 集積回路断線検査方法と装置 2007年10月31日
特許3896532 テラヘルツ帯複素誘電率測定装置 2007年03月22日
特許3536915 複合酸化物系単結晶薄膜の製造方法 2004年06月14日
特許2972862 超伝導光メモリー装置 1999年11月08日
特許2829378 超伝導体電磁波発生方法及び装置 1998年11月25日
<Under Application>
特開2016-133344 光強度設定方法、検査方法および検査装置 特願2015-006862
特開2016-072255 改質処理装置、改質モニター装置および改質処理方法 特願2014-196295
特開2016-007105 検査装置および検査方法 特願2014-127160
特開2015-184170 検査装置および検査方法 特願2014-061679
特開2015-152519 検査装置及び検査方法 特願2014-028573
特開2015-114145 検査装置および検査方法 特願2013-254807
特開2015-064271 光軸調整方法および検査装置 特願2013-197850
特開2015-040816 検査装置および検査方法 特願2013-173140
特開2015-017851 フォトデバイス検査装置およびフォトデバイス検査方法 特願2013-144127
特開2014-192444 検査装置および検査方法 特願2013-068325
特開2014-181975 フォトデバイス検査装置およびフォトデバイス検査方法 特願2013-055931
特開2014-175442 検査装置および検査方法 特願2013-046225
特開2014-167443 検査装置および検査方法 特願2013-039702
特開2014-153314 検査装置および検査方法 特願2013-025677
特開2014-009990 検査装置および検査方法 特願2012-145171
特開2014-009988 検査装置および検査方法 特願2012-145167
特開2009-238911 テラヘルツ光伝導基板、並びに、それを用いたテラヘルツ光検出装置、テラヘルツ光発 生装置、およびテラヘルツ光測定装置 特願2008-081158
特開2008-053373 光入力素子 特願2006-226977
特開2007-049042 光電磁波変換方法および強誘電体の分極状態検出方法 特願2005-233659
特開2006-086227 光スイッチ 特願2004-267405
特開2004-333331 レーザ波長計測方法、及びレーザ波長計測装置 特願2003-130482
特開2003-085980 光磁束変換素子,画像検出装置,画像記録装置,画像検出方法および画像記録方法
特願2001-270997 画像検出方法および画像記録方法
特開2000-258363 ミリ波・サブミリ波帯分光装置 特願平11-058702
特開2000-074954 超伝導電流検出装置 特願平10-262384
特開平08-264852 ジョセフソン素子の形成方法 特願平07-090339

Abroad

<Issued>
1. Inspection apparatus and inspection method; Patent number
US9383321
2. MODIFICATION PROCESSING DEVICE, MODIFICATION MONITORING DEVICE AND MODIFICATION PROCESSING METHOD; Patent number
US20160093539
3. Inspecting device and inspecting method; Patent number
US9234934
4. Inspecting device and inspecting method; Patent number
US9151669
5. INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION METHOD; Patent number
US20150276607
6. INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION METHOD; Patent number
US20150236642
7. Inspection apparatus and inspection method; Patent number
US9103870
8. INSPECTION APPRATUS AND INSPECTION METHOD; Patent number
US20150162872
9. INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION METHOD; Patent number
US20150053869
10. Inspection apparatus and inspection method; Patent number
EP2840382
11. Semiconductor inspection method and semiconductor inspection apparatus;
Patent number
US8941824
12. PHOTO DEVICE INSPECTION APPARATUS AND PHOTO DEVICE INSPECTION METHOD;
Patent number
US20150015297
13. Photo device inspection apparatus and photo device inspection method; Patent number
EP2824469
14. Inspection apparatus and inspection method; Patent number
US8872114
15. INSPECTING DEVICE AND INSPECTING METHOD; Patent number
US20140253911
16. Inspecting device and inspecting method; Patent Application Patent number
EP2775288
17. Inspecting device and inspecting method; Patent number
EP2772750
18. INSPECTING DEVICE AND INSPECTING METHOD; Patent number
US20140239182
19. INSPECTING DEVICE AND INSPECTING METHOD; Patent number
US20140002125
20. Inspecting device and inspecting method; Patent number
EP2679987
21. Electromagnetic radiation generating element, electromagnetic radiation generating device, and method of generating electromagnetic radiation; Patent number
US8530868
22.
 INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION METHOD; Patent number
US20130222004
23. Inspection apparatus and inspection method; Patent number
EP2631635
24. Element, device and method for generating electromagnetic radiation in the terahertz domain;Patent number
EP2607945
25. ELECTROMAGNETIC RADIATION GENERATING ELEMENT, ELECTROMAGNETIC RADIATION GENERATING DEVICE, AND METHOD OF GENERATING ELECTROMAGNETIC RADIATION; Patent number
US20130153793
26. SEMICONDUCTOR INSPECTION METHOD AND SEMICONDUCTOR INSPECTION APPARATUS; Patent number
US20130083319
27. Semiconductor inspection method and semiconductor inspection apparatus;
Patent number
EP2574906
28. INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION METHOD; Patent number
US20130015368
29. Inspection apparatus and inspection method; Patent number
EP2546634
30. SEMICONDUCTOR INSPECTION DEVICE AND INSPECTION METHOD;
Patent number
US20110216312
31. Electric-field distribution measurement method and apparatus for semiconductor device;
Patent number
US7466151
32. Method and apparatus for diagnosing fault in semiconductor device; Patent number
US7173447
33. Method and device for measuring electric field distribution of semiconductor device;
Patent number
US20070018634
34. METHOD AND DEVICE FOR MEASURING ELECTRIC FIELD DISTRIBUTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE; Patent number
EP1679522
35. Method and apparatus for diagnosing fault in semiconductor device; Patent number
US20060006886
36. Method and apparatus for inspecting wire breaking of integrated circuit;
Patent number
US6980010
37. METHOD AND DEVICE FOR MEASURING ELECTRIC FIELD DISTRIBUTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE; Patent number
WO2005022180
38. Method and apparatus for inspecting wire breaking of integrated circuit;
Patent number
US20040246011
39.Method and apparatus for inspecting wire breaking of an integrated circuit; Patent number
EP1441233
40. Method for etching superconductor materials; Patent number
US4996191