Books & Review

Books

1．斗内政吉 (著)、” テラヘルツ時間領域分光: 物質科学への応用 (物質・材料テキストシリーズ)”、内田老鶴圃、2021/10/26

Editors

1．T. Kobayashi, H. Hayakawa, M. Tonouchi, eds. “Vortex Electronics and SQUIDs (Topics in Applied Physics, 91)”,Springer Verlag, Germany, 2003

2．斗内政吉（編集委員会副委員長）　"テラヘルツ技術総覧"　NGT、2007

3．斗内政吉 （監修）、"テラヘルツ技術 " (Terahertz Technology)，テラヘルツテクノロジー動向調査専門委員会編, オーム社, 2006

4．斗内政吉（監修）、"テラヘルツ波新産業(New Terahertz Industry)",シーエムシー出版, 2011、2017（普及版/Popular Edition）

5．斗内政吉（監修）、"テラヘルツ波産業創成の課題と展望(Challenges and Prospects for Terahertz Wave Industry)",シーエムシー出版、2022

Chapters

1. 斗内政吉,“材料と評価の最前線”日本材料学会編，培風館，pages 131−142, 2001

2. M. Tonouchi,“Optical Vortex Generation in High Tc Superconductor”in Vortex Physics, Studies of High Temperature Superconductors No. 42, edited by. A. V. Narlikar Nova Science Publishers, New York, 2002, pages 109-138

3. N. Kawasaki, T. Yoshimura, M. Tonouchi, M. Tani, K. Sakai, and H. Katahama,“Terahertz Generation Study of Ultrafast Carrier Dynamics in Polycrystalline LT-GaAs” in Polycrystalline Semiconductors VII - Solid State Phenomena, Volume 93, edited by T. Fuyuki, T. Sameshima, H.P. Strunk and J.H. Werner, Trans Tech Publications Inc, Switzerland, pages 367-374, 2003

4. 斗内政吉，“光物性の基礎と応用”、光物性研究会組織委員会編, 株式会社オプトロニクス社, pages 325-342, 2006

5. S. Ohshima, K. Tanabe, T. Morishita and M. Tonouchi, "Observation of vortices" in Vortex Electronics and SQUIDs (Topics in Applied Physics, 91) edited by T. Kobayashi, H. Hayakawa, M. Tonouchi,Springer Verlag, Germany, pages 53 - 102, 2003

6. M. Tonouchi, G. Oya, Y. Matsuda and K. Kumagai, "New aspect of vortex in HTSC" in Vortex Electronics and SQUIDs (Topics in Applied Physics, 91) edited by T. Kobayashi, H. Hayakawa, M. Tonouchi, Springer Verlag, Germany, pages 103-139, 2003

7. N. Kida, H. Murakami and M. Tonouchi, "Terahertz optics in strongly correlated electron systems" in Terahertz Optelectronics (Topics in Applied Physics, 97) edited by K. Sakai, Springer Verlag, Germany, pages 271-331, 2005

8. 斗内 政吉、鈴木 正人、”半導体表面からのテラヘルツ波発生”、pages 113-116（テラヘルツ技術総覧）　NGT、2007

9. 斗内 政吉、井上 亮太郎、”光ファイバ結合型時間分解分光イメージング”　pages 435-437（テラヘルツ技術総覧）　NGT、2007

10. 斗内 政吉、村上 博成、Sunmi Kim7、”レーザーテラヘルツ放射顕微鏡（LTEM）” pages 445-449（テラヘルツ技術総覧）　NGT、2007

11. 斗内 政吉、村上 博成、貴田 徳明、高橋 宏平、”超伝導/強相関電子系” pages 507-516（テラヘルツ技術総覧）　NGT、2007

12．斗内政吉，”テラヘルツ波の産業応用に向けて”、pages 1-10（テラヘルツ波新産業）CMC出版、2011

13．斗内政吉，”ファイバー絵都合型小型TDSイメージング装置”、pages 101-105（テラヘルツ波新産業）CMC出版、2011

14．斗内政吉，”テラヘルツ放射顕微鏡”、pages 119-125（テラヘルツ波新産業）CMC出版、2011

15. Masayoshi Tonouchi, “Sate-of-the-Art of Terahertz Science and Technology”, Frontiers in Optical Methods , Vol.180 , Pages153-166 , 2013-12

16. 斗内政吉，“電気電子材料”，伊藤利道編，pages 93-115，177-185, 190-197，2016

17. 北岸恵子, “テラヘルツ技術の進展と非破壊検査技術”, 電気学会技術報告-テラヘルツ波を用いた非破壊検査技術調査専門委員会編 , No.1432 , pp46-4, 52-55 , 2018-7

18. 芹田和則、” テラヘルツマイクロ流路チップのメタマテリアル構造と微量センシングへの応用”、pages （メタマテリアルの設計、作製と新材料、デバイス開発への応用）技術情報協会、2022.

19. 斗内政吉、永妻忠夫、”テラヘルツ波産業創成の課題と展望”（テラヘルツ波産業創成の課題と展望）,シーエムシー出版、2022

20.芹田和則、” 走査型テラヘルツ点光源による非染色早期がん検査システムとマイクロ流路チップ”（テラヘルツ波産業創成の課題と展望）,シーエムシー出版、2022

21. Chen Gong、斗内政吉、” エアープラズマテラヘルツ光源”（テラヘルツ波産業創成の課題と展望）,シーエムシー出版、2022

22. 斗内政吉、” 半導体R＆D支援テラヘルツ放射顕微鏡”（テラヘルツ波産業創成の課題と展望）,シーエムシー出版、2022

23. 斗内政吉、” 第4章 Beyond 5G/6G への開発動向と展望-第3節 テラヘルツ波工学の誕生と新産業創製”（高周波対応基板の材料・要素技術の開発動向）、サイエンス＆テクノロジー社、2022/6/29

24. Kazunori Serita, Chen Gong, Masayoshi Tonouchi, “Nonlinear terahertz photonics”, "Advances in Nonlinear Photo" Edited by Giancarlo C. Righini and Luigi Sirleto, Pages113-148(2023-5) ; doi.org/10.1016/B978-0-32-398384-6.00012-7

Review Papers [総説]　（査読あり）

1. 斗内政吉、“テラヘルツ電磁波の発生と応用：高温超伝導体からの発生” 応用物理，66(9)986-987, 1997
2. 萩行正憲，斗内政吉，谷 正彦，阪井清美、“高温超伝導体からのテラヘルツ電磁波発生” レーザー研究, 26(7), 536-540, 1998．
3. 萩行正憲，斗内政吉、“光伝導スイッチによるTHz波の発生” 応用物理, 68(12), 1390-1391, 1998
4. 小林猛、斗内政吉、“高温超伝導エレクトロニクスの最近の動向” 応用物理71(1), 6-16, 2002．
5. 斗内 政吉，貴田 徳明，紀和 利彦，富成 征弘，川山 巌，村上 博成、”強相関電子系材料からのテラヘルツ電磁波放射と関連物性”、レーザー研究 30(7), 370-375, 2002
6. 藤巻 朗、斗内政吉、前田京剛, “銅酸化物接合におけるジョセフソン・デバイス研究の現状”, 固体物理 39(10), 817-828, 2004.
7. 斗内政吉：“テラヘルツテクノロジーの将来展望”, レーザー研究 33, 814-818, 2005.
8. 斗内政吉 “テラヘルツ波技術の現状と展望”, 応用物理 75, 160-168, 2006.
9. 斗内政吉、田中耕一郎 “テラヘルツ時間領域分光法”, 電子情報通信学会誌 89, 474-480, 2006
10. M. Tonouchi, “Cutting-edge terahertz technology”, Nature Photonics , Vol.1 , No.2 , Pages97-105 , 2007-2
11. Tonouchi, M.; Prospect for research and development of terahertz technology in future; Journal of the National Institute of Information and Communications Technology, 55, 171, 2008.
12. 斗内政吉、“テラヘルツ波技術が拓く新産業”, 光学 38, 64-71, 2009.
13. 斗内政吉、“BiFeO3薄膜からのテラヘルツ波発生と光新機能”、マテリアルインテグレーション 22(3), 22-29, 2009.
14. 斗内政吉，鈴木正人，川山巌，村上博成, 高橋義典，松川健，吉村政志，森勇介，北岡康夫，佐々木孝友、“有機非線形光学結晶を用いたフェムト秒光パルス励起テラヘルツ電磁波発生”、レーザー研究 37, 355-360, 2009.
15. 斗内政吉、“BiFeO3薄膜からのテラヘルツ波発生と光新機能” マテリアルインテグレーション22(03)、22-29(2009).
16. 斗内政吉、“テラヘルツ波科学技術の最前線”, 真空 53, 296-300, 2010.
17. 斗内政吉、“銅酸化物超伝導体および誘電体のテラヘルツ分光”, 固体物理 46(11), 725-733, 2011
18. 芹田和則、斗内政吉、“レーザー走査型テラヘルツ波２次元面放射イメージングシステム” レーザー学会学会誌レーザー研究, 40(7), 496, 2012
19. 中西英俊，斗内政吉，“フェムト秒レーザーを用いた太陽電池特性の局所評価”、レーザー加工学会誌、19、62(2012)
20. Iwao Kawayama, Caihong Zhang, Huabing Wang, Masayoshi Tonouchi, “Study on terahertz emission and optical/terahertz pulse responses with superconductors”, Superconductor Science and Technology , Vol.26 , No.9 , Pages093002 , 2013-9
21. 斗内政吉，“テラヘルツ放射顕微鏡開発の最近の進展と産業応用の可能性”、応用物理第84巻第12号、1101（2015）
22. 斗内 政吉、総説「テラヘルツ波が拓く医療・創薬・バイオセンシング」日本レーザー医学会誌, 2019 年 39 巻 4 号 p. 325-328
23. 芹田和則, “テラヘルツマイクロ流路チップの開発と微量バイオセンシングへの応用”, 光学 , Vol.vol. 48 , No.no.10 , pp412-418 , 2019
24. 芹田和則、斗内 政吉、総説「微量センシングのためのテラヘルツマイクロ流路チップ」日本レーザー医学会誌, 2019 年 39 巻 4 号 p. 329-334
25. Kazunori Serita, “Terahertz Imaging Evaluation of Early-Stage Breast Cancer Using Point Terahertz Sources”, NIHON GAZO GAKKAISHI (Journal of the Imaging Society of Japan), Vol.61, No.6, Pages600-607(2022-12) ; https://www.jstage.jst.go.jp/article/isj/61/6/61_600/_article
26. 芹田和則, “高空間分解能テラヘルツ顕微鏡の開発～テラヘルツ領域での細胞観察への一歩～”, Precision Medicine（北陵館） , Vol.6 , No.8 , pp74-78 , 2023-7

Review Articless [解説]　（査読なし）

1. 斗内政吉，萩行正憲、“テラヘルツ電磁波の発生と応用：高温超伝導体からの発生” FEDジャーナル，8(1), 34 -38, 1997
2. 斗内政吉、“フェムト秒光パルスによる磁束量子生成と光メモリーへの応用” TELECOM FROMTIER、37, 24-32, 2002
3. 斗内政吉，“物質・現象・新技術（10）テラヘルツ時間領域分光”OPTRONICS（2005）No.11
4. 斗内政吉、“ラスター走査型テラヘルツイメージング装置”オプトロニクス8, 117-11, 2007
5. 斗内政吉、“DAST 結晶のテラヘルツ光源応用”、オプトロニクス No.11, 117-1124, 2008
6. 斗内政吉、“「先端研究施設共用イノベーション創出事業」”高強度レーザーが拓く光科学新産業”，レーザー研究，第36 巻第5号306-308，2008
7. 斗内政吉、“テラヘルツ電磁波の産業応用か見えてきた”、生 産 と 技 術 第64巻 第4号(2012)
8. 中西英俊，斗内政吉，“テラヘルツ波を利用した太陽電池特性計測技術”，検査技術12,59(2012)
9. 中西英俊，斗内政吉，”テラヘルツ波利用により太陽電池の発電状態を可視化”，OHM 8,2(2012)
10. 川山 巌, 斗内 政吉. 強誘電体および超伝導体のテラヘルツ分光 (特集 未来の光 テラヘルツの魅力). 化學工業. 2013. 64. 11. 850-855
11. 斗内政吉. テラヘルツ波を用いたバイオセンシングの可能性. 生産と技術. 2014. 66. 3. 22-26
12. 川山 巌, 斗内 政吉. グラフェン/半導体接合からのテラヘルツ波放射特性とそのセンサ応用 (特集 テラヘルツ波の新時代). 光アライアンス. 2015. 26. 1. 15-18
13. 斗内政吉, “テラヘルツ波新産業創製への展望”, 化学工業 , 巻68 , 号3 , pp165-169 , 2017-3
14. 北岸恵子, “高空間分解能、高感度テラヘルツ分光のバイオ分野への応用の試み”, 生産と技術 , 巻vol. 69 , 号No.2 , pp98-100 , 2017-4
15. 北岸恵子, “高空間分解能、高感度テラヘルツ分光のバイオ分野への応用の試み”, 生産と技術 , 巻vol. 69 , 号No.2 , pp98-100 , 2017-4
16. 北岸恵子、芹田和則, “最新のテラヘルツ測定技術（Novel Techniques of Treahertz Spectroscopy and Imaging)”, オレオサイエンス , Vol.18 , No.9 , pp13-18 , 2018-9
17. 斗内政吉, “テラヘルツ波技術展望（Prosepect for Terahertz Technology)”, オレオサイエンス , Vol.18 , No.9 , pp7-11 , 2018-9
18. 北岸恵子、芹田和則, “最新のテラヘルツ測定技術（Novel Techniques of Terahertz Spectroscopy and Imaging)”, オレオサイエンス , Vol.18 , No.9 , pp13-18 , 2018-9
19. 芹田 和則, 斗内 政吉. テラヘルツ波を用いた超高感度バイオケミカルセンサーチップ. OPTRONICS. 2019. 12. 67-71
20. 斗内政吉、”半導体R&D支援分析技術としてのテラヘルツ放射顕微鏡 ～半導体産業復興への貢献を目指して～”、 生産と技術. 73. 3. 13-19（2021）
21. 芹田和則，斗内政吉、”テラヘルツ点光源技術が拓くテラヘルツバイオフォトニクスの新展開”、光技術コンタクト、第60巻，4号、pp31-38、2022

Publication of FY2024 (Papers and Invited talks)

Papers of FY2024

1. Dongxun Yang and Masayoshi Tonouchi, “ Quantifying Flat-Band Voltage in Si Metal-Oxide-Semiconductor Structures: An Evaluation via Terahertz Emission Spectroscopy (TES)”, International Journal of High Speed Electronics and Systems, (2024-4) ; https://doi.org/10.1142/S0129156424400184

Invited Oral of FY2023

1. 芹田和則, “走査型テラヘルツ波点光源顕微鏡の開発とがん病理診断応用”, 第15回テラヘルツビジネスセミナー（THz-biz 2023）～テラヘルツセンシングの応用展開～、次世代オプトエレクトロニクスデバイス展, 2023/5/31, 東京ビッグサイト

2. Kazunori Serita, “Biosensing with Point Terahertz Sources”, IUMRS-ICAMA & ICMAT 2023, 2023/6/23-2023/6/30, Singapore

3. Masayoshi Tonouchi, “Terahertz Emission Spectroscopy and Imaging of Semiconductor Heterostructures and Quantum Wells”, International conference on Quantum Engineered Sensing and Information Technology 2023, 2023/6/27-2023/6/30, Paris, France

4. Masayoshi Tonouchi, “I-design terahertz microfluidic chip for attomole-level sensing”, 13th International Conference on Metamaterials, Photonic Crystals and Plasmonics 2023, 2023/7/18-2023/7/21, Paris, France

5. Masayoshi Tonouchi, Kazunori Serita, “Design of a Meta-Atom for Ultrasensitive Terahertz Microfluidic Chips”, XXXVth General Assembly and Scientific Symposium of the International Union of Radio Science, 2023/8/19-2023/8/26, Sapporo, Japan

6. Masayoshi Tonouchi, “LTEM as a new tool for semiconductor manufacturing process monitor”, 10th International Symposium on Terahertz-Related Devices and Technologies, Aizu-Wakamatsu, 2023/9/3-2023/9/8

7. (Key note) Fumikazu Murakami, Atsushi Takeo, Brandon Mitchell, Volkmar Dierolf, Yasufumi Fujiwara, Masayoshi Tonouchi, “Terahertz Emission Spectroscopy On Eu-doped GaN Superlattice LEDs”, International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, 2023/9/17-2023/9/22, Canada

8. Masayoshi Tonouchi, “Terahertz Emission Spectroscopy and Imaging for Semiconductor Manufacturing Process Monitoring”, ICECOM 2023 - 24th International Conference on Applied Electromagnetics and Communications, 2023/9/27-2023/9/29, Dubrovnik, Croatia

Patents

Domestic

<Issued>
特許5929293　検査装置および検査方法　2016年06月01日
特許5904530　電磁波発生素子、電磁波発生装置および電磁波発生方法　2016年04月13日
特許5892597　検査装置および検査方法　2016年03月23日
特許5835795　検査方法および検査装置　2015年12月24日
特許5822194　半導体検査方法および半導体検査装置　2015年11月24日
特許5804362　検査装置および検査方法　2015年11月04日
特許5187843　半導体検査装置及び検査方法　2013年04月24日
特許5158920　光−磁束変換型入力インターフェース回路　2013年03月06日
特許4683869　半導体デバイスの故障診断方法と装置　2011年05月18日
特許4631704　半導体デバイスの電界分布測定方法と装置　2011年02月16日
特許4360687　物質検出装置及び物質検出方法　2009年11月11日
特許4001373　集積回路断線検査方法と装置　2007年10月31日
特許3896532　テラヘルツ帯複素誘電率測定装置　2007年03月22日
特許3536915　複合酸化物系単結晶薄膜の製造方法　2004年06月14日
特許2972862　超伝導光メモリー装置　1999年11月08日
特許2829378　超伝導体電磁波発生方法及び装置　1998年11月25日
<Under Application>
特開2016-133344 光強度設定方法、検査方法および検査装置 特願2015-006862
特開2016-072255 改質処理装置、改質モニター装置および改質処理方法 特願2014-196295
特開2016-007105 検査装置および検査方法 特願2014-127160
特開2015-184170 検査装置および検査方法 特願2014-061679
特開2015-152519 検査装置及び検査方法 特願2014-028573
特開2015-114145 検査装置および検査方法 特願2013-254807
特開2015-064271 光軸調整方法および検査装置 特願2013-197850
特開2015-040816 検査装置および検査方法 特願2013-173140
特開2015-017851 フォトデバイス検査装置およびフォトデバイス検査方法 特願2013-144127
特開2014-192444 検査装置および検査方法 特願2013-068325
特開2014-181975 フォトデバイス検査装置およびフォトデバイス検査方法 特願2013-055931
特開2014-175442 検査装置および検査方法 特願2013-046225
特開2014-167443 検査装置および検査方法 特願2013-039702
特開2014-153314 検査装置および検査方法 特願2013-025677
特開2014-009990 検査装置および検査方法 特願2012-145171
特開2014-009988 検査装置および検査方法 特願2012-145167
特開2009-238911 テラヘルツ光伝導基板、並びに、それを用いたテラヘルツ光検出装置、テラヘルツ光発 生装置、およびテラヘルツ光測定装置 特願2008-081158
特開2008-053373 光入力素子 特願2006-226977
特開2007-049042 光電磁波変換方法および強誘電体の分極状態検出方法 特願2005-233659
特開2006-086227 光スイッチ 特願2004-267405
特開2004-333331 レーザ波長計測方法、及びレーザ波長計測装置 特願2003-130482
特開2003-085980 光磁束変換素子，画像検出装置，画像記録装置，画像検出方法および画像記録方法
特願2001-270997 画像検出方法および画像記録方法
特開2000-258363 ミリ波・サブミリ波帯分光装置 特願平11-058702
特開2000-074954 超伝導電流検出装置 特願平10-262384
特開平08-264852 ジョセフソン素子の形成方法 特願平07-090339

Abroad

<Issued>
1. Inspection apparatus and inspection method; Patent number
US9383321
2. MODIFICATION PROCESSING DEVICE, MODIFICATION MONITORING DEVICE AND MODIFICATION PROCESSING METHOD; Patent number
US20160093539
3. Inspecting device and inspecting method; Patent number
US9234934
4. Inspecting device and inspecting method; Patent number
US9151669
5. INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION METHOD; Patent number
US20150276607
6. INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION METHOD; Patent number
US20150236642
7. Inspection apparatus and inspection method; Patent number
US9103870
8. INSPECTION APPRATUS AND INSPECTION METHOD; Patent number
US20150162872
9. INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION METHOD; Patent number
US20150053869
10. Inspection apparatus and inspection method; Patent number
EP2840382
11. Semiconductor inspection method and semiconductor inspection apparatus;
Patent number
US8941824
12. PHOTO DEVICE INSPECTION APPARATUS AND PHOTO DEVICE INSPECTION METHOD;
Patent number
US20150015297
13. Photo device inspection apparatus and photo device inspection method; Patent number
EP2824469
14. Inspection apparatus and inspection method; Patent number
US8872114
15. INSPECTING DEVICE AND INSPECTING METHOD; Patent number
US20140253911
16. Inspecting device and inspecting method; Patent Application Patent number
EP2775288
17. Inspecting device and inspecting method; Patent number
EP2772750
18. INSPECTING DEVICE AND INSPECTING METHOD; Patent number
US20140239182
19. INSPECTING DEVICE AND INSPECTING METHOD; Patent number
US20140002125
20. Inspecting device and inspecting method; Patent number
EP2679987
21. Electromagnetic radiation generating element, electromagnetic radiation generating device, and method of generating electromagnetic radiation; Patent number
US8530868
22.
 INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION METHOD; Patent number
US20130222004
23. Inspection apparatus and inspection method; Patent number
EP2631635
24. Element, device and method for generating electromagnetic radiation in the terahertz domain;Patent number
EP2607945
25. ELECTROMAGNETIC RADIATION GENERATING ELEMENT, ELECTROMAGNETIC RADIATION GENERATING DEVICE, AND METHOD OF GENERATING ELECTROMAGNETIC RADIATION; Patent number
US20130153793
26. SEMICONDUCTOR INSPECTION METHOD AND SEMICONDUCTOR INSPECTION APPARATUS; Patent number
US20130083319
27. Semiconductor inspection method and semiconductor inspection apparatus;
Patent number
EP2574906
28. INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION METHOD; Patent number
US20130015368
29. Inspection apparatus and inspection method; Patent number
EP2546634
30. SEMICONDUCTOR INSPECTION DEVICE AND INSPECTION METHOD;
Patent number
US20110216312
31. Electric-field distribution measurement method and apparatus for semiconductor device;
Patent number
US7466151
32. Method and apparatus for diagnosing fault in semiconductor device; Patent number
US7173447
33. Method and device for measuring electric field distribution of semiconductor device;
Patent number
US20070018634
34. METHOD AND DEVICE FOR MEASURING ELECTRIC FIELD DISTRIBUTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE; Patent number
EP1679522
35. Method and apparatus for diagnosing fault in semiconductor device; Patent number
US20060006886
36. Method and apparatus for inspecting wire breaking of integrated circuit;
Patent number
US6980010
37. METHOD AND DEVICE FOR MEASURING ELECTRIC FIELD DISTRIBUTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE; Patent number
WO2005022180
38. Method and apparatus for inspecting wire breaking of integrated circuit;
Patent number
US20040246011
39.Method and apparatus for inspecting wire breaking of an integrated circuit; Patent number
EP1441233
40. Method for etching superconductor materials; Patent number
US4996191