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■変換効率3％達成
次世代半導体製造リソグラフィ用に開発を進めてきたレーザープラズマ極端紫外（EUV)光源において世界最高の変換効率3.0％を達成し、実用機開発へ向けた課題の一つがクリアーされました。
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2005年
2月25日〜3月4日 SPIE Microlithography（San Jose, CA, USA）
3月24日〜3月27日 日本物理学会（ 東京理科大学 野田キャンパス）
3月29日〜4月1日 日本応用物理学会（ 埼玉大学）
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■平成15年度
■平成16年度（更新中：更新日12.1)
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特許出願済み 2件
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